EDA與制造相關(guān)文章 量子機(jī)器學(xué)習(xí)將改寫半導(dǎo)體制造未來 7月4日消息，據(jù)techxplore報道，澳大利亞研究團(tuán)隊(duì)近日開發(fā)出一項(xiàng)具突破性的半導(dǎo)體制程技術(shù)，首次成功應(yīng)用量子機(jī)器學(xué)習(xí)（Quantum Machine Learning，QML）來構(gòu)建模型，提升了半導(dǎo)體制造的精準(zhǔn)度與效率，并有望降低芯片生產(chǎn)成本。 量子技術(shù)推動半導(dǎo)體突破助于解決超出傳統(tǒng)計算機(jī)能力范圍的復(fù)雜問題。 目前，該團(tuán)隊(duì)的研究成功已經(jīng)發(fā)表在《先進(jìn)科學(xué)》雜志上，首次表明，通過將量子方法應(yīng)用于 發(fā)表于：7/7/2025 臺積電駁斥推遲日本芯片廠建設(shè)說法 7 月 6 日消息，據(jù)《華爾街日報》援引知情人士消息，臺積電正在放緩其在日本的芯片制造設(shè)施投資，以加快在美國亞利桑那州的 Fab 21 工廠建設(shè)，此舉可能是為了應(yīng)對美國政府可能對中國臺灣地區(qū)生產(chǎn)的芯片征收關(guān)稅的風(fēng)險。然而，臺積電在回應(yīng) Tom's Hardware 的詢問時表示，其在美國亞利桑那州的重大投資計劃不會影響其在日本和德國的芯片制造工廠計劃。 發(fā)表于：7/7/2025 消息稱高通已取消三星2nm工藝代工計劃 7 月 5 日消息，消息源 @Jukanlosreve 昨日（7 月 4 日）在 X 平臺發(fā)布推文，曝料稱高通已取消了三星的 2nm 工藝代工計劃，不再委托其生產(chǎn)第二代驍龍 8 至尊版芯片。 發(fā)表于：7/7/2025 三星電子晶圓代工部門被取消2025上半年績效獎勵 7 月 6 日消息，據(jù) BusinessKorea 報道，行業(yè)消息人士透露，三星電子于 7 月 4 日通過內(nèi)部網(wǎng)絡(luò)公布了其上半年目標(biāo)達(dá)成激勵（TAI）的支付比例。TAI 每半年發(fā)放一次，最高可達(dá)員工月薪的 100%，具體金額取決于各業(yè)務(wù)部門的業(yè)績表現(xiàn)。 發(fā)表于：7/7/2025 DRAM史上最大代際倒掛繼續(xù)：DDR4現(xiàn)貨平均價2.6倍于DDR5 7月6日消息，由于供應(yīng)短缺，DDR4內(nèi)存價格在過去幾個月內(nèi)大幅上漲，甚至超過了DDR5內(nèi)存，這一現(xiàn)象促使一些廠商重新考慮延長DDR4內(nèi)存的生產(chǎn)。 主要DRAM制造商美光、三星和SK海力士此前曾宣布將在2025年底停止生產(chǎn)DDR4內(nèi)存，由于供應(yīng)減少，DDR4內(nèi)存現(xiàn)貨價格在短短兩個月內(nèi)翻了數(shù)倍。 發(fā)表于：7/7/2025 2026年日本半導(dǎo)體設(shè)備銷售額將突破5萬億日元 7月3日，日本半導(dǎo)體制造裝置協(xié)會（SEAJ）公布的最新的報告顯示，將2025年度（2025年4月-2026年3月）日本制造的半導(dǎo)體設(shè)備銷售額上修至48,634億日元，將創(chuàng)下歷史新高記錄，并預(yù)估2026年度銷售額將沖破5萬億日元大關(guān)、改寫歷史新高。 發(fā)表于：7/4/2025 三星承認(rèn)尖端制程競爭力不足 7月4日消息，據(jù)韓國媒體《朝鮮日報》報導(dǎo)，雖然三星晶圓代工部門的2nm和3nm良率已經(jīng)超過了40%，達(dá)到了商業(yè)化標(biāo)準(zhǔn)，但與對手臺積電相比，三星的性能和良率未達(dá)預(yù)期。 報道稱，三星已與英偉達(dá)（NVIDIA）和高通（Qualcomm）評估其2nm制程，但是市場消息顯示，三星與英偉達(dá)GPU測試時發(fā)現(xiàn)其性能較臺積電低，暫未考慮采用；高通評估后雖然有下單，但訂單量不夠改善三星營收。 發(fā)表于：7/4/2025 英飛凌四季度向客戶提供首批12英寸氮化鎵樣品 隨著氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體需求的持續(xù)增長，英飛凌科技股份公司正抓住這一趨勢，鞏固其作為GaN市場領(lǐng)先垂直整合制造商（IDM）的地位。 發(fā)表于：7/4/2025 美國通知通用電氣重啟向中國商飛供應(yīng)噴氣發(fā)動機(jī) 7月4日消息，據(jù)國外媒體報道稱，美國政府通知通用電氣航空航天，稱其可以重啟向中國商飛供應(yīng)噴氣發(fā)動機(jī)。 發(fā)表于：7/4/2025 三星美國泰勒晶圓廠因缺單開業(yè)時間推遲至明年 7月3日消息，據(jù)“日經(jīng)亞洲”報道，三星在美國德克薩斯州泰勒市的尖端制程晶圓廠盡管已接近完工，但由于缺乏客戶，現(xiàn)在已推遲到了2026 年開業(yè)。 發(fā)表于：7/4/2025 蘇州PCB龍頭東山精密59.35億元收購臺灣索爾思光電 中國印刷電路板（PCB）龍頭大廠東山精密宣布59.35億元收購位于中國臺灣新竹科學(xué)園的光通信廠商索爾思光電之后，中國臺灣“經(jīng)濟(jì)部門”近日表示，尚未收到索爾思光電的投資計劃變更申請，將在收到申請案后，會同關(guān)等單位嚴(yán)格審查。 發(fā)表于：7/3/2025 英特爾計劃叫停玻璃基板開發(fā) 7月3日消息，據(jù)媒體報道，隨著新任首席執(zhí)行官陳立武（Lip-Bu Tan）啟動一系列改革措施，英特爾正在對旗下業(yè)務(wù)及開發(fā)工作進(jìn)行調(diào)整。 發(fā)表于：7/3/2025 美國解除對中國芯片設(shè)計軟件EDA的出口限制 7月3日，據(jù)彭博社報道，電子設(shè)計自動化(EDA)巨頭西門子表示，根據(jù)公司收到的美國政府通知，美國已解除對華芯片設(shè)計軟件的出口限制。 特朗普政府已解除了至少部分對華芯片設(shè)計軟件出口許可要求。根據(jù)西門子的聲明，美國商務(wù)部已通知公司，其在中國開展業(yè)務(wù)已無需再申請政府許可。 西門子在聲明中稱，已恢復(fù)了中國客戶對其軟件和技術(shù)的全面訪問權(quán)限。 發(fā)表于：7/3/2025 High-NA EUV遇冷 晶圓廠紛紛推遲導(dǎo)入時間 7月2日消息，據(jù)媒體報道，2023年末ASML向英特爾交付了首臺High-NA EUV光刻機(jī)，業(yè)界普遍認(rèn)為，High-NA EUV光刻技術(shù)將在先進(jìn)芯片開發(fā)和下一代處理器的生產(chǎn)中發(fā)揮關(guān)鍵作用。 發(fā)表于：7/3/2025 三星電子計劃明年3月啟動第十代4xx層V-NAND量產(chǎn)線建設(shè) 7 月 2 日消息，韓媒 ETNews 當(dāng)?shù)貢r間昨日報道稱，三星計劃明年三月啟動其下一代 3D NAND 閃存 —— 第十代 V-NAND 的首條量產(chǎn)線建設(shè)，有望當(dāng)年 10 月進(jìn)入全面量產(chǎn)階段。 發(fā)表于：7/3/2025 ?…234567891011…?
