EDA與制造相關(guān)文章 國內(nèi)首次海上濺落回收發(fā)動機伺服機構(gòu)及電氣設(shè)備工程化復用成功 7 月 28 日消息,近日,箭元科技元行者一號驗證型火箭海上濺落回收發(fā)動機、伺服機構(gòu)及電氣設(shè)備成功完成 4 次發(fā)動機與控制系統(tǒng)聯(lián)合搖擺熱試車。重復多次點火試驗的圓滿成功,標志著箭元科技實現(xiàn)了“發(fā)射回收 → 精準濺落 → 打撈清理 → 返廠檢查 → 重復使用”的全流程閉環(huán)驗證。 發(fā)表于:7/29/2025 鎧俠宣布年內(nèi)量產(chǎn)9代BiCS FLASH技術(shù) 近日,日本NAND Flash閃存大廠鎧俠(Kioxia)宣布,將在今年內(nèi)量產(chǎn)其第9代BiCS 3D NAND FLASH閃存技術(shù)的512Gb TLC產(chǎn)品已開始進行樣品出貨,預(yù)估將在今年度內(nèi)(2026年3月底之前)進行量產(chǎn)。 發(fā)表于:7/29/2025 三星與特斯拉達成165億美元芯片供應(yīng)協(xié)議 7 月 28 日消息,三星電子今早在提交給監(jiān)管機構(gòu)的文件中表示,三星電子與一家全球大型公司簽署了價值 22.8 萬億韓元(注:現(xiàn)匯率約合 1181.72 億元人民幣,約合 165 億美元)的芯片制造協(xié)議,但未透露具體客戶名稱。根據(jù)路透社和彭博社的消息人士,特斯拉正是這家客戶,該公司目前與三星的合同芯片制造部門已有業(yè)務(wù)往來。 發(fā)表于:7/28/2025 臺積電亞利桑那州晶圓廠僅能滿足美國7%芯片需求 7月28日消息,根據(jù)外媒wccftech報道,美國財政部長斯科特·貝森特 (Scott Bessent)近日在采訪中表示,晶圓代工大廠臺積電美國亞利桑那州晶圓廠目前僅能滿足美國7%的芯片代工需求。 發(fā)表于:7/28/2025 美國將在兩周內(nèi)公布半導體“232調(diào)查”報告 7月28日消息,美國總統(tǒng)特朗普近日在蘇格蘭與歐盟執(zhí)委會主席馮德萊恩(Ursula von der Leyen)敲定關(guān)稅協(xié)定。與此同時,美國商務(wù)部長 霍華德·盧特尼克 (Howard Lutnick) 在場邊接受媒體采訪時表示,針對芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)起的“232調(diào)查”結(jié)果將會在兩周內(nèi)公布。 發(fā)表于:7/28/2025 AOS出售重慶12英寸晶圓廠 上海新微接盤 2025年7月25日,由重慶兩江產(chǎn)業(yè)集團、新微集團、新微資本聯(lián)合主辦的“AI新時代,能效驅(qū)未來”AI基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域功率器件應(yīng)用研討會在渝成功舉行。會上,新微集團正式宣布完成對重慶萬國半導體科技有限公司(重慶萬國半導體)的戰(zhàn)略收購。 2015年9月,重慶兩江新區(qū)管委會與美國功率半導體巨頭Alpha and Omega Semiconductor(AOS)簽訂“12英寸功率半導體芯片制造及封裝測試生產(chǎn)基地項目投資協(xié)議”,2016年4月22日成立重慶萬國,將主要從事功率半導體器件(含功率MOSFET、IGBT等功率集成電路)的產(chǎn)品設(shè)計和生產(chǎn)制造。2017年2月動工建設(shè)。 發(fā)表于:7/28/2025 Infinitesima與imec合作推動埃米級晶圓量測技術(shù)發(fā)展 7月25日消息,英國的先進半導體測量技術(shù)公司Infinitesima 近日宣布與比利時imec 共同展開三年合作項目,針對其Metron3D 在線3D 晶圓測量系統(tǒng)進行功能強化,聚焦于High-NA EUV、混合鍵合(Hybrid Bonding)、CFET等先進制程應(yīng)用,并由ASML 等業(yè)界領(lǐng)導者參與,以解決未來半導體制造對高解析3D 測量的迫切需求。 發(fā)表于:7/28/2025 英特爾取消德國及波蘭建廠 年底前將再裁員20%! 當?shù)貢r間7月24日,處理器大廠英特爾公布了第二季度財報,雖然128.6億美元的營收超出了分析師的預(yù)期,特別是其核心的數(shù)據(jù)中心和AI業(yè)務(wù)營收也超預(yù)期,但是盈利能力卻不及預(yù)期,虧損仍在擴大。 為了減少支出,并提升盈利能力,英特爾CEO陳立武宣布取消此前已經(jīng)暫停的德國和波蘭的建廠項目,放緩俄亥俄州工廠的進度,將其在哥斯達黎加的組裝和測試業(yè)務(wù)整合到越南和馬來西亞的更大工廠。全球裁員15%,實現(xiàn)在2025年年底將核心員工降低至 75,000 人。 發(fā)表于:7/25/2025 SEMI:今年全球半導體制造設(shè)備銷售額將達1255億美元 7月24日消息,根據(jù)國際半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(SEMI)最新的預(yù)測數(shù)據(jù)顯示,2025年全球半導體制造設(shè)備銷售額將同比增長7.4%至1,255億美元,創(chuàng)下歷史新高。在先進邏輯、存儲和技術(shù)轉(zhuǎn)型帶動下,2026年半導體制造設(shè)備銷售額有望進一步提高至1,381億美元。 SEMI總裁兼首席執(zhí)行官Ajit Manocha表示:“繼2024年的強勁增長之后,預(yù)計今年全球半導體制造設(shè)備銷售額將再次擴大,并在2026年創(chuàng)下新紀錄。雖然半導體行業(yè)正在密切關(guān)注宏觀經(jīng)濟的不確定性,但人工智能推動的芯片創(chuàng)新需求正在推動對產(chǎn)能擴張和領(lǐng)先生產(chǎn)的投資?!? 發(fā)表于:7/25/2025 三大巨頭停產(chǎn)引發(fā)搶貨潮 國產(chǎn)存儲緊急重啟DDR4產(chǎn)線 7月25日消息,由于供應(yīng)短缺,最近一段時間DDR4內(nèi)存頻繁出現(xiàn)漲價、缺貨等現(xiàn)象。 漲價原因是此前占據(jù)該系列產(chǎn)品全球市場份額約95%的三星、SK海力士、美光三大存儲巨頭宣布加速淡出DDR4產(chǎn)能。 發(fā)表于:7/25/2025 Rapidus迅速展示2nm晶圓樣品 7月24日消息,據(jù)日經(jīng)新聞報道,日本晶圓代工廠Rapidus近日展示了2nm晶圓樣品,這是在今年4月試產(chǎn)產(chǎn)線啟用后,僅3個月時間就完成了2nm晶圓樣品的生產(chǎn),可謂是非常迅速。Rapidus 社長小池淳義接受采訪時表示,潛在客戶對Rapidus 的速度贊不絕口,而目前正和30-40家企業(yè)洽談。小池淳義還指出,不會和臺積電競爭。 發(fā)表于:7/25/2025 AMD確認臺積電美國廠代工價格比臺灣廠高5%-20% 7月24日消息,據(jù)彭博社報道,美國芯片大廠AMD公司首席執(zhí)行官蘇姿豐于當?shù)貢r間周三在一場由All-In Podcast團隊和名為“Hill and Valley Forum”的科技領(lǐng)袖與立法者聯(lián)盟共同主辦的活動上表示,該公司從臺積電美國亞利桑那州晶圓廠采購的芯片要比中國臺灣晶圓廠的高出5%至20%。 發(fā)表于:7/24/2025 博世計劃2029年前裁員1100人 7 月 23 日消息,德國汽車零部件制造商博世(Bosch)將大幅調(diào)整其位于羅伊特林根(Reutlingen)的生產(chǎn)基地,并計劃到 2029 年前裁員最多達 1100 人。公司高管周二表示,這一舉措是由于汽車行業(yè)市場狀況急劇惡化,導致產(chǎn)品銷量持續(xù)下滑。 發(fā)表于:7/24/2025 傳高通并未放棄雙代工策略 7月24日消息,隨著高通新一代旗艦移動處理器Snapdragon 8 Elite Gen 2 的即將發(fā)布,與之相關(guān)的傳聞也是持續(xù)不斷。 此前有傳聞稱高通新一代Snapdragon 8 Elite Gen 2 將會采取雙供應(yīng)商策略,除了大部分都交由臺積電N3P制程代工為,高通為三星定制的Snapdragon 8 Elite Gen 2 for Galaxy將會交由三星2nm代工。但隨后,爆料達人@Jukanlosreve 在社交媒體平臺“X”上所分享的消息指出,代表三星版本的“SM8850-S”與代表臺積電版本的“SM8850-T”辨識碼皆已移除,暗示高通最終放棄了雙供應(yīng)商策略。即目前高通已將三星從代工名單中剔除,將全部交由臺積電代工。 發(fā)表于:7/24/2025 清華大學EUV光刻膠材料取得重要進展 7月24日消息,據(jù)清華大學官網(wǎng)介紹,日前,清華大學化學系許華平教授團隊在極紫外(EUV)光刻材料上取得重要進展,開發(fā)出一種基于聚碲氧烷的新型光刻膠,為先進半導體制造中的關(guān)鍵材料提供了新的設(shè)計策略。 隨著集成電路工藝向7nm及以下節(jié)點推進,13.5nm波長的EUV光刻成為核心技術(shù)。 發(fā)表于:7/24/2025 ?12345678910…?