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2023年五大晶圓廠設(shè)備制造商收入935億美元

根據(jù)市場(chǎng)調(diào)查機(jī)構(gòu) Counterpoint Research 公布的報(bào)告，2023 年五大晶圓廠設(shè)備（WFE）制造商收入為 935 億美元（當(dāng)前約 6732 億元人民幣），同比下降 1%。在這五家 WFE 廠商中，ASML 和應(yīng)用材料公司（Applied Materials）在 2023 年實(shí)現(xiàn)了同比增長(zhǎng)，而泛林集團(tuán)（Lam Research）、東京電子（TEL）和科磊（KLA）的收入則分別同比下降了 25%、22% 和 8%。強(qiáng)勁的 DUV 和 EUV 銷售推動(dòng) ASML 在 2023 年躍居首位。

發(fā)表于：3/7/2024

光刻機(jī)巨頭ASML被傳將“離開”荷蘭

據(jù)荷蘭《電訊報(bào)》3月6日?qǐng)?bào)道，一名消息人士透露，因荷蘭政府的反移民政策傾向，光刻機(jī)巨頭阿斯麥（ASML）正計(jì)劃搬離荷蘭。目前，荷蘭政府已成立了一個(gè)名為“貝多芬計(jì)劃”的特別工作組，由首相馬克·呂特親自領(lǐng)導(dǎo)，以探索阻止ASML離開的方法。消息還稱，ASML已向荷蘭政府提出了意向，表示將有可能在其他地方擴(kuò)張或遷移，法國(guó)是選擇之一。

發(fā)表于：3/7/2024

谷歌Tensor G4芯片采用三星FOWLP封裝工藝

根據(jù)韓媒 FNN 報(bào)道，谷歌即將推出的 Tensor G4 芯片，將采用和 Exynos 2400 相同的 " 扇出晶圓級(jí)封裝 "（FOWLP）工藝。

發(fā)表于：3/7/2024

三星確認(rèn)第二代3納米工藝更名為2納米

3 月 5 日消息，三星確認(rèn)第二代3納米工藝更名為2納米，而該工藝計(jì)劃將于今年年底前量產(chǎn)。去年年底就有更名的相關(guān)消息，而現(xiàn)在基本已經(jīng)得到確認(rèn)。

發(fā)表于：3/6/2024

美光計(jì)劃部署納米印刷技術(shù)以降低DRAM芯片生產(chǎn)成本

發(fā)表于：3/6/2024

韓國(guó)兩家芯片設(shè)備制造商遭黑客入侵

韓國(guó)兩家芯片設(shè)備制造商遭黑客入侵韓國(guó)國(guó)家情報(bào)局表示，朝鮮在2023年12月和2024年2月滲透了兩家公司的服務(wù)器，竊取了其設(shè)施的產(chǎn)品和生產(chǎn)設(shè)施的藍(lán)圖。韓國(guó)國(guó)家情報(bào)局在一份聲明中說，這些黑客采用了一種被稱為“l(fā)iving off the land（LOTL）”的技術(shù)，最大限度地減少惡意代碼并使用服務(wù)器內(nèi)安裝的現(xiàn)有合法工具，從而難以用安全軟件檢測(cè)到，建議各韓國(guó)公司采取預(yù)防措施。

發(fā)表于：3/6/2024

GDDR7 顯存標(biāo)準(zhǔn)正式發(fā)布

3 月 6 日消息，固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì) JEDEC 今日正式發(fā)布 JESD239 GDDR7 顯存標(biāo)準(zhǔn)（Graphics Double Data Rate），JESD239 GDDR7 提供的帶寬是 GDDR6 的兩倍，每臺(tái)設(shè)備最高可達(dá) 192 GB/s。

發(fā)表于：3/6/2024

Intel曬史上最貴開箱：全球首臺(tái)高NA光刻機(jī)已裝機(jī)

Intel發(fā)布了一條特殊的開箱視頻，堪稱史上最貴：他們從ASML拿到的全球第一臺(tái)高NA EUV光刻機(jī)，已經(jīng)開始在美國(guó)俄勒岡州希爾斯伯勒附近的工廠內(nèi)安裝了。這臺(tái)型號(hào)為Twinscan EXE:5000的光刻機(jī)著實(shí)是個(gè)龐然大物，運(yùn)輸過程中動(dòng)用了250個(gè)貨箱，總重約150噸，先用飛機(jī)從荷蘭運(yùn)到俄勒岡州波特蘭，再用卡車分批次拉到工廠。目前安裝的還只是核心組件，全部搞定需要250多名ASML、Intel的工程師，耗時(shí)約6個(gè)月，然后還得花時(shí)間調(diào)試。

發(fā)表于：3/6/2024

臺(tái)積電計(jì)劃在2025年開始生產(chǎn)2納米芯片

蘋果Mac和iPhone芯片可能是迄今最強(qiáng)大芯片，為臺(tái)積電3納米。但新報(bào)告指蘋果努力開發(fā)3納米下代芯片，著眼于更先進(jìn)的2納米技術(shù)。雖未證實(shí)，但考慮到蘋果一向支持臺(tái)積電先進(jìn)制程，仍然值得留意。蘋果此前已經(jīng)采用了臺(tái)積電的5納米技術(shù)，在其M3 Mac芯片和iPhone 15 Pro系列的A17 Pro芯片中使用了3納米工藝。這些芯片已經(jīng)被應(yīng)用于14和16寸的MacBook Pro筆記本電腦、24寸的iMac臺(tái)式電腦，以及13和15寸的MacBook Air。OLED iPad Pro也有望搭載這款芯片，使其成為迄今為止速度最快的iPad。

發(fā)表于：3/5/2024

南亞內(nèi)存20nm技術(shù)被盜損失數(shù)十億

據(jù)媒體報(bào)道，中國(guó)臺(tái)灣內(nèi)存大廠南亞(Nanya)發(fā)生了一起內(nèi)部竊密案，涉及到20nm工藝技術(shù)，造成嚴(yán)重?fù)p失。 2015-2016年間，南亞從美光引入了20nm DRAM內(nèi)存芯片制造工藝，曾向相關(guān)業(yè)務(wù)部門的員工開設(shè)了線上培訓(xùn)課程。南亞錦興工廠的一位李姓小組長(zhǎng)在參加培訓(xùn)的過程中，通過截屏的方式，偷偷記錄了相關(guān)技術(shù)資料，作為自己后續(xù)跳槽的資本。

發(fā)表于：3/5/2024

2024年全球半導(dǎo)體營(yíng)收預(yù)計(jì)增長(zhǎng)17%至6000億美元

2023年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)面臨嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。在地緣政治和整體經(jīng)濟(jì)等各種不確定因素的影響下，機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì)，2023年全球IC設(shè)計(jì)和IDM行業(yè)收入將達(dá)到5230億美元，較上一年下降8.9%。機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè)，展望2024年，在AI應(yīng)用芯片和存儲(chǔ)需求的推動(dòng)下，全球半導(dǎo)體收入預(yù)計(jì)將達(dá)6000億美元，增長(zhǎng)17%，將進(jìn)一步恢復(fù)增長(zhǎng)。

發(fā)表于：3/5/2024

三星計(jì)劃采用英偉達(dá)“數(shù)字孿生”技術(shù)提升芯片良率以追趕臺(tái)積電

近幾年三星代工部門一直落后于其競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電，其生產(chǎn)的芯片性能也無(wú)法與臺(tái)積電的產(chǎn)品相媲美。據(jù)報(bào)道，三星計(jì)劃采用基于英偉達(dá) Omniverse 平臺(tái)的“數(shù)字孿生”技術(shù)，以期縮小與臺(tái)積電的差距。

發(fā)表于：3/5/2024

SK海力士三星電子HBM良率僅65%

據(jù)韓媒 DealSite 報(bào)道，SK 海力士、三星電子今年針對(duì) HBM 內(nèi)存大幅擴(kuò)產(chǎn)。不過 HBM 內(nèi)存有著良率較低等問題，難以跟上 AI 市場(chǎng)相關(guān)需求。作為 AI 半導(dǎo)體市場(chǎng)搶手貨的 HBM 內(nèi)存，其采用晶圓級(jí)封裝（WLP）：在基礎(chǔ)晶圓上通過 TSV 硅通孔連接多層 DRAM 內(nèi)存晶圓，其中一層 DRAM 出現(xiàn)問題就意味著整個(gè) HBM 堆棧的報(bào)廢。

發(fā)表于：3/5/2024

AI浪潮帶動(dòng)存儲(chǔ)芯片再進(jìn)化

全球產(chǎn)業(yè)數(shù)位化，數(shù)位資料規(guī)模攀升，加上AI技術(shù)興起，全球?qū)Y料處理、大數(shù)據(jù)分析與AI應(yīng)用的需求快速增長(zhǎng)，間接提高對(duì)支援高效能運(yùn)算（HPC）與AI運(yùn)算的硬體裝置及芯片要求。以云端資料中心伺服器來(lái)說，HPC與AI運(yùn)算需求下，需要搭配升級(jí)的芯片包含作為運(yùn)算核心的中央處理器（CPU）與圖形處理器（GPU）、伺服器基板管理芯片（BMC）、電源管理芯片（PMIC）、高速傳輸芯片，以及存儲(chǔ)等。其中，存儲(chǔ)除用于長(zhǎng)期儲(chǔ)存資料、屬于非揮發(fā)性存儲(chǔ)的NAND Flash固態(tài)硬盤（SSD），也包含用于即時(shí)高速運(yùn)算暫存資料、屬于揮發(fā)性存儲(chǔ)的靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)（SRAM）與動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)（DRAM）。

發(fā)表于：3/5/2024

使用大面積分析提升半導(dǎo)體制造的良率

　　設(shè)計(jì)規(guī)則檢查（DRC）技術(shù)用于芯片設(shè)計(jì)，可確保以較高的良率制造出所需器件。設(shè)計(jì)規(guī)則通常根據(jù)所使用設(shè)備和工藝技術(shù)的限制和變異性制定。DRC可確保設(shè)計(jì)符合制造要求，且不會(huì)導(dǎo)致芯片故障或DRC違規(guī)。常見的DRC規(guī)則包括最小寬度和間隔要求、偏差檢查以及其他規(guī)格，以避免在制造過程中出現(xiàn)短路、斷路、材料過量或其他器件故障。

發(fā)表于：3/4/2024