數(shù)據(jù)中心最新文章 英特爾 10 納米良率傳偏低 量產(chǎn)延后 10 納米先進(jìn)制程良率低，英特爾、臺(tái)積電全球兩大晶圓廠先后都傳出有類似問題待克服。 發(fā)表于：3/2/2017 聯(lián)電14納米FinFET開始量產(chǎn) 臺(tái)灣晶圓代工大廠聯(lián)華電子(UMC，以下簡(jiǎn)稱聯(lián)電)宣布，該公司自主研發(fā)的14納米鰭式場(chǎng)效電晶體(FinFET)制程技術(shù)，已成功進(jìn)入客戶晶片量產(chǎn)階段。出貨給主要客戶的14納米量產(chǎn)晶圓，良率已達(dá)先進(jìn)制程的業(yè)界競(jìng)爭(zhēng)水準(zhǔn)，此制程將幫助客戶開拓嶄新的應(yīng)用于電子產(chǎn)品。 發(fā)表于：3/2/2017 比NAND快千倍 中芯國(guó)際瞄準(zhǔn)ReRAM？ 比NAND閃存更快千倍 40納米R(shí)eRAM在中芯國(guó)際投產(chǎn)引起業(yè)界關(guān)注!曾經(jīng)一度大舉退出內(nèi)存生產(chǎn)的中芯國(guó)際，為何鎖定瞄準(zhǔn)ReRAM?主要原因在于ReRAM應(yīng)用在物聯(lián)網(wǎng)(IoT)裝置擁有愈長(zhǎng)的電池續(xù)航力，一來可節(jié)省維護(hù)成本、二來有助提高物聯(lián)網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施可持續(xù)性。 發(fā)表于：3/1/2017 芯片競(jìng)爭(zhēng)激烈 促成美國(guó)制造商抱團(tuán) 猶他州李海的IM Flash工廠座落于瓦薩奇山脈腳下，堪稱美國(guó)高科技制造業(yè)的典范。在這家工廠，裝載著餐盤般大小硅片的機(jī)器人在天花板上穿梭，往來于巨大的機(jī)器之間。這些機(jī)器從顯微層面對(duì)原材料進(jìn)行蝕刻與沉積，制造世界上最先進(jìn)的存儲(chǔ)芯片。 發(fā)表于：3/1/2017 半導(dǎo)體制造增速首超設(shè)計(jì) 呼喚IDM龍頭 近日，國(guó)內(nèi)兩家最主要的半導(dǎo)體制造上市公司中芯國(guó)際和華虹半導(dǎo)體前后發(fā)布2016年財(cái)報(bào)，業(yè)績(jī)均創(chuàng)新高，其中中芯國(guó)際2016 年銷售總額為29 億美元，收入同比上升 30.3%;華虹半導(dǎo)體銷售收入7.214億美元，同比增長(zhǎng)11.0%。 發(fā)表于：3/1/2017 低開銷片上網(wǎng)絡(luò)容錯(cuò)傳輸機(jī)制 隨著工藝的不斷進(jìn)步，片上網(wǎng)絡(luò)可靠性問題越發(fā)嚴(yán)峻。為了平衡性能和功耗，研究者們提出了許多針對(duì)鏈路比特錯(cuò)誤的傳輸機(jī)制，提出了一種基于糾錯(cuò)編碼和重傳方案的傳輸機(jī)制，在此機(jī)制中，路由器只提供對(duì)包頭進(jìn)行檢驗(yàn)的檢錯(cuò)器，并重用網(wǎng)絡(luò)接口中的譯碼器對(duì)整個(gè)數(shù)據(jù)包進(jìn)行糾錯(cuò)。通過使用輕量級(jí)的檢錯(cuò)電路減少了硬件和功耗開銷，并且保證時(shí)延開銷與端到端和點(diǎn)到點(diǎn)的糾錯(cuò)方案相同。 發(fā)表于：2/28/2017 為先進(jìn)制程 臺(tái)積電研發(fā)支出將增加15% 臺(tái)積電持續(xù)提升先進(jìn)制程技術(shù)，7納米制程預(yù)計(jì)第1季試產(chǎn)，明年開始量產(chǎn)，今年資本支出將維持100億美元新高規(guī)模，尤其今年研發(fā)支出將增加15%。 發(fā)表于：2/27/2017 東芝64層堆疊FLASH 3D閃存出貨 普及TB級(jí)SSD 據(jù)外媒報(bào)道，東芝今天宣布正式出貨BiCS FLASH 3D閃存，采用64層堆疊，單晶粒容量512Gb（64GB，TLC），相對(duì)于上一代48層256Gb，容量密度提升了65%，這樣封裝閃存芯片的最高容量將達(dá)到960GB。 發(fā)表于：2/23/2017 在計(jì)算機(jī)芯片布線加入石墨烯 延續(xù)摩爾定律？ 隨著集成電路越來越小型化，目前摩爾定律的存續(xù)命運(yùn)，似乎大多聚焦在硅晶體管的改良上。 不過，逐漸有研究人員開始從別的組成部分著手：例如連接各個(gè)晶體管形成復(fù)雜電路的銅線。 而石墨烯在其中起到著關(guān)鍵作用。 發(fā)表于：2/22/2017 中國(guó)臺(tái)灣IC產(chǎn)業(yè)2016年產(chǎn)值表現(xiàn)優(yōu)于全球 根據(jù)半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)組織(WSTS)的最新數(shù)字，2016年第四季(16Q4)全球半導(dǎo)體市場(chǎng)銷售值達(dá)930億美元，較上季(16Q3)成長(zhǎng)5.4%，較前一年同期成長(zhǎng)12.3%；銷售量達(dá)2,177億顆，較上季成長(zhǎng)0.8%，較前一年度同期(15Q4)成長(zhǎng)11.7%；平均銷售價(jià)格(ASP)為0.427美元，較上季成長(zhǎng)4.5%，較前一年度成長(zhǎng)0.5%。 發(fā)表于：2/22/2017 傳蘋果、微軟有意競(jìng)投東芝半導(dǎo)體業(yè)務(wù) 東芝因面對(duì)數(shù)10億美元減值撇賬，計(jì)劃進(jìn)行業(yè)務(wù)重組及擬出售旗下半導(dǎo)體業(yè)務(wù)19.9%股權(quán)。日本媒體報(bào)導(dǎo)，蘋果公司及微軟等美國(guó)企業(yè)表達(dá)了競(jìng)標(biāo)東芝半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。 發(fā)表于：2/21/2017 Intel 3D XPoint閃存揭秘：20nm工藝 Intel、美光發(fā)布3D XPoint閃存已經(jīng)一年多了，號(hào)稱性能、可靠性是NAND閃存的1000倍，容量密度是后者10倍，各種黑科技秒殺當(dāng)前的閃存水平。從去年底開始有少量基于3D XPoint閃存的Optane硬盤問世，消費(fèi)級(jí)容量是16/32GB，企業(yè)級(jí)有個(gè)375GB的DC P4800X系列，隨機(jī)性能確實(shí)很強(qiáng)大。 發(fā)表于：2/21/2017 PCI-E 4.0速率16GT/s2017第一季度發(fā)布！ 早在2011年底，PCI SIG組織就開始了PCI-E 4.0標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范的制定工作，原計(jì)劃在2014-2015年推出PCI-E 3.0已經(jīng)達(dá)到了8GT/s的超高傳輸速率，單條通道即可提供1GB/s的帶寬，PCI-E 3.0 x16全速模式下可達(dá)16GB/s。 發(fā)表于：2/21/2017 英特爾2016年半導(dǎo)體研發(fā)支出仍稱冠 美國(guó)半導(dǎo)體業(yè)者英特爾(Intel)2016年研發(fā)支出年增5%，達(dá)127.40億美元，續(xù)稱霸所有半導(dǎo)業(yè)者。臺(tái)灣臺(tái)積電與聯(lián)發(fā)科則是分別以支出22.15億與17.30億美元，名列全球六與七名。 發(fā)表于：2/20/2017 新的縮放模式：以太網(wǎng)端口擴(kuò)展器 在過去的三十年中，以太網(wǎng)已經(jīng)發(fā)展成為所有行業(yè)的統(tǒng)一通信基礎(chǔ)架構(gòu)。每天都有超過三百萬的以太網(wǎng)端口在部署，覆蓋從FE到100GbE的所有速度。企業(yè)和運(yùn)營(yíng)商在部署時(shí)通常會(huì)使用盒式的交換設(shè)備和堆疊和高密度機(jī)箱式交換機(jī)的組合，來應(yīng)對(duì)以太網(wǎng)的不斷演進(jìn)。然而，在過去的幾年中，以太網(wǎng)發(fā)展態(tài)勢(shì)正在持續(xù)改變。隨著數(shù)據(jù)中心以太網(wǎng)部署和創(chuàng)新都在以最快的速度進(jìn)行著，用于數(shù)據(jù)中心的以太網(wǎng)交換機(jī)架構(gòu)占據(jù)主導(dǎo)地位，使得企業(yè)和運(yùn)營(yíng)商市場(chǎng)不得不采用。 發(fā)表于：2/17/2017 ?…124125126127128129130131132133…?
