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臺積電2nm制程投產(chǎn)在即每片晶圓代工價(jià)格飆升至3萬美元

6月3日消息，據(jù)臺灣地區(qū)工商時(shí)報(bào)報(bào)道，臺積電即將迎來 2 納米制程的投產(chǎn)，這一技術(shù)突破標(biāo)志著芯片制造領(lǐng)域進(jìn)入了一個(gè)新的時(shí)代。據(jù)供應(yīng)鏈消息，臺積電的 2 納米制程從研發(fā)到量產(chǎn)的總成本高達(dá) 7.25 億美元，其代工價(jià)格也水漲船高，每片晶圓的代工價(jià)格飆升至 3 萬美元

發(fā)表于：6/3/2025

臺積電CEO否認(rèn)近期擬赴阿聯(lián)酋設(shè)廠傳聞

6 月 3 日消息，在今日舉行的臺積電年度股東常會上，臺積電董事長兼總裁魏哲家就近期有關(guān)臺積電擬赴阿聯(lián)酋建設(shè)大型晶圓廠項(xiàng)目的媒體傳聞作出簡短回應(yīng)：“不會”。

發(fā)表于：6/3/2025

三星挖來臺積電前高管以開拓晶圓代工業(yè)務(wù)

6月3日消息，據(jù)韓媒Fnnews報(bào)道，三星電子為了強(qiáng)化晶圓代工業(yè)務(wù)的競爭力已經(jīng)聘請了臺積電前高管Margaret Han，擔(dān)任北美晶圓代工業(yè)務(wù)的負(fù)責(zé)人。過去Margaret Han曾在臺積電任職長達(dá)21年，隨后轉(zhuǎn)戰(zhàn)英特爾及恩智浦等半導(dǎo)體大廠。

發(fā)表于：6/3/2025

Intel力拼2027年打造HBM內(nèi)存替代方案

6月2日消息，據(jù)媒體報(bào)道，Intel將與軟銀合作，共同開發(fā)一種可取代HBM內(nèi)存的堆疊式DRAM解決方案。雙方成立了一家名為“Saimemory”的新公司，將基于英特爾的技術(shù)和東京大學(xué)等日本學(xué)術(shù)界的專利，共同打造原型產(chǎn)品。該合作的目標(biāo)是在2027年前完成原型設(shè)計(jì)，并評估量產(chǎn)可行性，力爭在2030年前實(shí)現(xiàn)商業(yè)化。

發(fā)表于：6/3/2025

中國科學(xué)院物理研究所發(fā)現(xiàn)超帶隙透明導(dǎo)體

6 月 2 日消息，據(jù)中國科學(xué)院物理研究所官網(wǎng)，透明導(dǎo)體兼具導(dǎo)電性與透明性，廣泛應(yīng)用于觸控屏、太陽能電池、發(fā)光二極管、電致變色和透明顯示等光電器件，成為現(xiàn)代信息與能源技術(shù)中不可或缺的核心材料。

發(fā)表于：6/3/2025

消息稱瑞薩電子放棄生產(chǎn)碳化硅功率半導(dǎo)體

6 月 3 日消息，《日經(jīng)亞洲》日本當(dāng)?shù)貢r(shí)間 5 月 29 日報(bào)道稱，瑞薩電子已放棄制造碳化硅 (SiC) 功率半導(dǎo)體，原定于 2025 年初在群馬縣高崎市工廠啟動生產(chǎn)的計(jì)劃破滅，相關(guān)生產(chǎn)團(tuán)隊(duì)已于今年早些時(shí)候解散。

發(fā)表于：6/3/2025

銀河通用發(fā)布全球首個(gè)產(chǎn)品級端到端具身FSD大模型

6月1日消息，銀河通用發(fā)布全球首個(gè)產(chǎn)品級端到端具身 FSD 大模型 —— TrackVLA，一款具備純視覺環(huán)境感知、語言指令驅(qū)動、可自主推理、具備零樣本（Zero-Shot）泛化能力的具身大模型。

發(fā)表于：6/3/2025

我國科學(xué)家利用溫加工方法制備高性能半導(dǎo)體薄膜

6 月 2 日消息，據(jù)中國科學(xué)院官方微博轉(zhuǎn)中國科學(xué)報(bào)報(bào)道，中國科學(xué)院上海硅酸鹽研究所史迅研究員、陳立東院士團(tuán)隊(duì)，聯(lián)合上海交通大學(xué)魏天然教授團(tuán)隊(duì)，發(fā)現(xiàn)一類特殊的脆性半導(dǎo)體在 500K 下具有良好的塑性變形和加工能力，并建立了與溫度相關(guān)的塑性物理模型，在半導(dǎo)體中實(shí)現(xiàn)了類似金屬的塑性加工工藝，為豐富無機(jī)半導(dǎo)體加工制造技術(shù)、拓展應(yīng)用場景提供了重要支撐。相關(guān)研究成果已發(fā)表于《自然 - 材料》。

發(fā)表于：6/3/2025

Synopsys CEO發(fā)內(nèi)部信稱美國新規(guī)將影響中國所有客戶

繼當(dāng)?shù)貢r(shí)間2025年5月29日，新思科技(Synopsys)通過官方發(fā)布公告，宣布已經(jīng)收到了美國商務(wù)部工業(yè)和安全局(BIS)的對華出口管制通知函之后，新思科技CEO Sassine Ghazi也向員工發(fā)布了內(nèi)部信進(jìn)行了進(jìn)一步的解釋。

發(fā)表于：6/3/2025

中國商務(wù)部回應(yīng)美國無理指責(zé)及斷供EDA等行為

據(jù)中國商務(wù)部網(wǎng)站6月2日消息，針對近日美國指控中方違反中美日內(nèi)瓦經(jīng)貿(mào)會談共識，以及對華斷供芯片設(shè)計(jì)軟件（EDA）等相關(guān)事宜，商務(wù)部新聞發(fā)言人進(jìn)行了回應(yīng)。

發(fā)表于：6/3/2025

貿(mào)澤電子與Analog Devices攜手推出全新電子書

2025年5月26日 – 專注于引入新品的全球電子元器件和工業(yè)自動化產(chǎn)品授權(quán)代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與Analog Devices, Inc. (ADI) 合作推出全新電子書《14 Experts Discuss Motor Control in Modern Applications》（14位專家探討現(xiàn)代應(yīng)用中的電機(jī)控制），探討電機(jī)控制領(lǐng)域的新趨勢和新挑戰(zhàn)。

發(fā)表于：5/31/2025

日月光推出具備硅通孔FOCoS-Bridge封裝技術(shù)

5月29日，半導(dǎo)體封測大廠日月光半導(dǎo)體宣布推出具備硅通孔（TSV）的扇出型基板上芯片橋接技術(shù)（FOCoS-Bridge），推動人工智能（AI）技術(shù)發(fā)展，并加速AI 對全球生活的深遠(yuǎn)影響。

發(fā)表于：5/30/2025

臺積電驚爆世界最先進(jìn)EUV光刻機(jī)只賣了5臺

5月29日消息，近日，臺積電重申，1.4nm級工藝技術(shù)不需要高數(shù)值孔徑（High-NA）EUV光刻機(jī)，目前找不到非用不可的理由。臺積電在阿姆斯特丹舉行的歐洲技術(shù)研討會上重申了其長期以來對下一代高NA EUV光刻設(shè)備的立場。該公司的下一代工藝技術(shù)，包括A16（1.6納米級）和A14（1.4納米級）工藝技術(shù)，不需要這些最高端的光刻系統(tǒng)。因此，臺積電不會在這些節(jié)點(diǎn)上采用高數(shù)值孔徑EUV設(shè)備。

發(fā)表于：5/30/2025

Synopsys與Cadence確認(rèn)收到BIS通知

5月30日消息，針對美國商務(wù)部工業(yè)和安全局（BIS）已經(jīng)向Synopsys（新思科技）、Cadence、西門子EDA這三家全球前三的EDA（電子設(shè)計(jì)自動化）軟件廠商發(fā)出通知，要求他們停止向中國提供服務(wù)的傳聞，Synopsys、Cadence已經(jīng)發(fā)布公告確認(rèn)已經(jīng)收到了BIS的通知。 Synopsys于當(dāng)?shù)貢r(shí)間5月29日發(fā)布公稱，其在宣布截至2025年4月30日的第二財(cái)季財(cái)務(wù)業(yè)績后，收到了美國商務(wù)部BIS的一封信，通知Synopsys與中國有關(guān)的新出口限制（“BIS信函”）。Synopsys目前正在評估BIS信函對其業(yè)務(wù)、經(jīng)營業(yè)績和財(cái)務(wù)狀況的潛在影響。

發(fā)表于：5/30/2025

2025年全球高密度連接板產(chǎn)值將同比增長8.7%

5月30日消息，據(jù)中國臺灣電路板協(xié)會（TPCA）指出，全球高密度連接板（HDI）產(chǎn)業(yè)展現(xiàn)強(qiáng)勁成長動能，預(yù)估2025年全球HDI 產(chǎn)值達(dá)143.4億美元，年成長率8.7%，改寫歷史新高紀(jì)錄；中國臺灣廠商市占率為38.7%，穩(wěn)居全球第一，中國大陸為32.9%。 TPCA的新聞稿指出，AI技術(shù)應(yīng)用重心由云計(jì)算逐步延伸至邊緣運(yùn)算，AI手機(jī)與AI PC的滲透率快速提升，手機(jī)與PC迎來溫和成長，加上AI服務(wù)器與低軌衛(wèi)星通訊需求的爆發(fā)，受惠產(chǎn)品設(shè)計(jì)與成本效益，為HDI擴(kuò)大新應(yīng)用市場。

發(fā)表于：5/30/2025