頭條 英偉達(dá)官宣：CUDA將全面支持RISC-V架構(gòu)！ 早在2024年10月，英偉達(dá)在RISC-V北美峰會上透露，其在2015年就選定將RISC-V選定為其專有Falcon微控制器（MCU）的繼任架構(gòu)。由于 MCU 內(nèi)核是通用的，因此可以在英偉達(dá)的產(chǎn)品中廣泛使用。根據(jù)英偉達(dá)當(dāng)時的預(yù)計，2024年英偉達(dá)將交付10億個內(nèi)置于其 GPU、CPU、SoC 和其他產(chǎn)品中的 RISC-V 處理器，這也凸顯了定制 RISC-V 內(nèi)核在英偉達(dá)硬件中的普遍性和重要性。 在此次RISC-V中國峰會上，F(xiàn)rans Sijstermanns也指出，英偉達(dá)是RVI和RISE的董事會成員和技術(shù)委員會代表，也是相關(guān)規(guī)范的貢獻(xiàn)者。英偉達(dá)產(chǎn)品中的微控制器都是基于RISC-V架構(gòu)，具有可配置、可擴(kuò)展和安全保護(hù)功能，并且也被集成在30多個IP中，每年出貨量超過10億個RISC-V MCU。 最新資訊 多通道優(yōu)先級放大器的設(shè)計與應(yīng)用 圖1所示的模擬優(yōu)先級放大器最初是作為多輸出電源的一部分進(jìn)行設(shè)計，其中穩(wěn)壓操作基于最高優(yōu)先級通道的電壓。該放大器的另一個應(yīng)用是帶電子節(jié)氣門控制的引擎控制系統(tǒng)，其中引擎需要對多個輸入命令中優(yōu)先級最高的一個作出響應(yīng)。 發(fā)表于：3/1/2024 貿(mào)澤聯(lián)手Würth Elektronik推出全新電子書 2024年2月26日 – 專注于引入新品的全球電子元器件和工業(yè)自動化產(chǎn)品授權(quán)代理商貿(mào)澤電子 （Mouser Electronics） 與Würth Elektronik聯(lián)手推出全新電子書，匯聚了八位專家針對物聯(lián)網(wǎng) （IoT） 技術(shù)與設(shè)備相關(guān)應(yīng)用的討論。 發(fā)表于：2/29/2024 全球首款“彈性”rSIM助力物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備“永遠(yuǎn)在線” 助力物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備“永遠(yuǎn)在線”——全球首款“彈性”rSIM如何實現(xiàn)？ 全球首款可自動切換網(wǎng)絡(luò)的“彈性”rSIM問世！再也不怕物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備掉線！ 發(fā)表于：2/29/2024 消息稱三星背面供電芯片測試結(jié)果良好 據(jù)韓媒 Chosunbiz 報道，三星電子近日在背面供電網(wǎng)絡(luò)（BSPDN）芯片測試中獲得了好于預(yù)期的成果，有望提前導(dǎo)入未來制程節(jié)點(diǎn)。 傳統(tǒng)芯片采用自下而上的制造方式，先制造晶體管再建立用于互連和供電的線路層。但隨著制程工藝的收縮，傳統(tǒng)供電模式的線路層越來越混亂，對設(shè)計與制造形成干擾。 BSPDN 技術(shù)將芯片供電網(wǎng)絡(luò)轉(zhuǎn)移至晶圓背面，可簡化供電路徑，解決互連瓶頸，減少供電對信號的干擾，最終可降低平臺整體電壓與功耗。對于三星而言，還特別有助于移動端 SoC 的小型化。 發(fā)表于：2/29/2024 美光推出緊湊封裝型UFS 4.0 美光宣布開始送樣增強(qiáng)版通用閃存（UFS） 4.0 移動解決方案，該方案具有突破性專有固件功能并采用業(yè)界領(lǐng)先的緊湊型 UFS 封裝 ( 9 x 13mm ) 。 新款內(nèi)存基于先進(jìn)的 232 層 3D NAND 技術(shù)， 美光 UFS 4.0 解決方案可實現(xiàn)高達(dá) 1TB 容量，其卓越性能和端到端技術(shù)創(chuàng)新將助力旗艦智能手機(jī)實現(xiàn)更快的響應(yīng)速度和更靈敏的使用體驗。 發(fā)表于：2/29/2024 淺談因電遷移引發(fā)的半導(dǎo)體失效 淺談因電遷移引發(fā)的半導(dǎo)體失效 發(fā)表于：2/28/2024 TI裁掉低端電源芯片研發(fā)團(tuán)隊 據(jù)“芯視點(diǎn)”可靠消息，TI于最近裁掉了其其位于北京的一個芯片設(shè)計團(tuán)隊。據(jù)了解，TI這個北京團(tuán)隊主要負(fù)責(zé)較為低端的電源芯片研發(fā)，團(tuán)隊人數(shù)約為50人左右。 知情人士表示，TI這個裁員一方面可能受到整個消費(fèi)端市場需求不振的影響；另一方面，國內(nèi)包括電源芯片在內(nèi)的內(nèi)卷，也推動TI做出了這樣的決定；此外，當(dāng)前中美關(guān)系的影響，讓TI最終走上了這樣一條道路。 發(fā)表于：2/28/2024 三星開發(fā)業(yè)界首款36GB HBM3E存儲芯片 三星2月27日宣布開發(fā)出業(yè)界首款12層堆疊HBM3E 12H高帶寬存儲芯片，這也是迄今為止容量最高的HBM產(chǎn)品，達(dá)36GB，帶寬高達(dá)1280GB/s。與8層堆疊HBM3產(chǎn)品相比，這款新品在容量、帶寬方面都提高了50%以上，可顯著提高人工智能（AI）訓(xùn)練、推理速度。 發(fā)表于：2/28/2024 美光發(fā)布最小尺寸UFS4.0手機(jī)存儲芯片 美光發(fā)布最小尺寸 UFS 4.0 手機(jī)存儲芯片：容量最高 1TB，為電池留出空間 美光科技在 MWC 2024 上宣布了其最新手機(jī)存儲解決方案。 該公司推出了迄今為止最緊湊的 UFS 4.0 封裝，尺寸僅為 9 x 13 毫米，仍然提供最高 1 TB 的容量和 4300 MB/s 順序讀取速度、4000 MB/s 順序?qū)懭胨俣取?/a> 發(fā)表于：2/28/2024 華為發(fā)布面向萬兆時代的下一代最佳智能OLT平臺 在MWC 2024 巴塞羅那期間，華為光產(chǎn)品線總裁陳幫華在華為2024 ICT解決方案與產(chǎn)品發(fā)布會上，面向全球正式發(fā)布了面向萬兆時代的下一代最佳智能OLT平臺：OptiXaccess MA5800T。 華為表示，新一代OLT平臺是面向萬兆時代的最佳演進(jìn)平臺，助力運(yùn)營商寬帶商業(yè)競爭力領(lǐng)先未來10年。 發(fā)表于：2/28/2024 ?…193194195196197198199200201202…?
