基于CMOS閾值電壓設計的電壓基準源
所屬分類：技術論文
上傳者：aetmagazine
文檔大?。?span>3857 K
標簽： 電壓基準 閾值電壓 溫度系數
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文檔介紹：基于TSMC 0.18 µm標準CMOS工藝，提出了一種新型無電阻低溫漂電壓基準源。通過采用CMOS閾值電壓（Vth）和與溫度成正比的電壓（VPTAT）作為基礎線性溫度單元加權求和的方式，消除了電壓基準源輸出中殘留的非線性溫度分量，最終得到高精度的電壓基準輸出。其中CMOS閾值電壓由無電阻結構產生，VPTAT的產生和與CMOS閾值電壓的加權求和由非對稱差分運放完成。實測結果證明，在-55 ℃~125 ℃溫度范圍內，電壓基準源輸出為1.23 V，溫度系數為4.5 ppm/℃。在無濾波電容的情況下，基準電源抑制比可達-93 dB。
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