頭條 基于FPGA的音頻Sigma-Delta調(diào)制器設(shè)計與實現(xiàn) 隨著數(shù)字音源的普及，數(shù)模轉(zhuǎn)換器（Digital to Analog Converter， DAC）成為音頻設(shè)備中不可或缺的元件，其精度往往決定著整個系統(tǒng)的信號保真度?；诖?，利用噪聲整形技術(shù)對用于高精度音頻DAC的Sigma-Delta調(diào)制器進(jìn)行設(shè)計和現(xiàn)場可編程門陣列（Field Programmable Gate Array， FPGA）實現(xiàn)。 通過搭建測試系統(tǒng)，測試結(jié)果表明，所設(shè)計的Sigma-Delta調(diào)制器在輸入信號為1 411.2 kHz采樣頻率、1 kHz頻率、0 dBFS（Full Scale）幅度的正弦信號條件下，其輸出信噪比（Signal to Noise Ratio， SNR）可達(dá)107.4 dB；當(dāng)輸入信號頻率在音頻頻帶內(nèi)時（輸入信號幅度為0 dBFS），其輸出SNR穩(wěn)定保持在104 dB以上；并可用于WAV音樂播放器中。 最新視頻 申云勇：工業(yè)4.0下半導(dǎo)體IC產(chǎn)品管理 2016中國智能制造技術(shù)與產(chǎn)業(yè)發(fā)展高峰論壇。西門子工業(yè)軟件全球半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展總監(jiān) 申云勇 發(fā)表于：11/16/2016 寧振波：中國新工業(yè)革命 2016中國智能制造技術(shù)與產(chǎn)業(yè)發(fā)展高峰論壇。中國航空工業(yè)集團(tuán)信息中心首席顧問 寧振波 發(fā)表于：11/16/2016 歐陽勁松：智能制造核心要素及思考——中國制造2025 2016中國智能制造技術(shù)與產(chǎn)業(yè)發(fā)展高峰論壇。機(jī)械工業(yè)儀器儀表綜合技術(shù)經(jīng)濟(jì)研究所所長 歐陽勁松 發(fā)表于：11/16/2016 高速數(shù)據(jù)端口保護(hù)用于汽車應(yīng)用 本視頻介紹安森美半導(dǎo)體的NIV1161，它在汽車應(yīng)用環(huán)境中保護(hù)高速數(shù)據(jù)線路免受靜電放電(ESD)及對電池短路的損傷。本視頻我們將以一個電子系統(tǒng)的后視攝像為例，以展示NIV1161的特性。 發(fā)表于：8/23/2016 單芯片方案 – 車門模塊驅(qū)動器IC 本視頻介紹安森美半導(dǎo)體強(qiáng)大的車門驅(qū)動器IC方案，用于車身控制系統(tǒng)。這演示使用真正的汽車前門，展示車鏡定位和車門電子系統(tǒng)。我們能以完全分立的方案取代繼電器，只用單芯片來控制。 發(fā)表于：8/23/2016 農(nóng)金鵬：All-semiconductor Plasmonic Resonator for Surface Enhanced Infrared Absorption Spectroscopy 農(nóng)金鵬：All-semiconductor Plasmonic Resonator for Surface Enhanced Infrared Absorption Spectroscopy 發(fā)表于：8/9/2016 rongzhen xia：A Design and Test Method of Mini-Hopkinson Impact System for MEMS Device Testing based on Electromagnetic Pulse Launch rongzhen xia：A Design and Test Method of Mini-Hopkinson Impact System for MEMS Device Testing based on Electromagnetic Pulse Launch 發(fā)表于：8/9/2016 王艷偉：Tracing Particles based on Rapid Electrokinetic Pattern 王艷偉：Tracing Particles based on Rapid Electrokinetic Pattern 發(fā)表于：8/9/2016 鄧起：The Characteristics of Silicon Magnetic Sensitive Transistor based on Giant Magnetoresistance Effect 趙小鳳：The Characteristics of Silicon Magnetic Sensitive Transistor based on Giant Magnetoresistance Effect 發(fā)表于：8/9/2016 閔成：Giant and tunable Goos-Hanchen shifts for attenuated total reflection structure containing graphene 閔成：Giant and tunable Goos-Hanchen shifts for attenuated total reflection structure containing graphene 發(fā)表于：8/9/2016 ?…567891011121314…?
