半導(dǎo)體 相關(guān)文章(8646篇)
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另辟蹊徑，臺(tái)積電走上芯片云端設(shè)計(jì)之路
發(fā)表于：10/10/2018 6:00:00 AM
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鴻海富士康搶攻半導(dǎo)體領(lǐng)域版圖
發(fā)表于：10/9/2018 6:00:00 AM
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三種常見(jiàn)的陶瓷電容器及其特點(diǎn)
發(fā)表于：10/9/2018 6:00:00 AM
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臺(tái)積電5nm芯片工藝進(jìn)度曝光，花費(fèi)驚人
發(fā)表于：10/9/2018 5:00:00 AM
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臺(tái)積電進(jìn)軍存儲(chǔ)器的意圖是什么
發(fā)表于：10/9/2018 5:00:00 AM
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意法半導(dǎo)體與Leti共同開(kāi)發(fā)用于功率轉(zhuǎn)換的GaN-on-Si二極管和晶體管架構(gòu)
發(fā)表于：10/6/2018 6:00:00 AM
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半導(dǎo)體行業(yè)的離職潮背后：AI芯片帶來(lái)產(chǎn)業(yè)革命
發(fā)表于：10/5/2018 6:00:00 AM
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全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的趕超邏輯：寡頭競(jìng)合與并購(gòu)重組
發(fā)表于：10/4/2018 8:07:00 AM
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碳化硅元器件的昨天、今天、明天！ （附史上最全第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展介紹）
發(fā)表于：9/28/2018 9:24:31 PM
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功率半導(dǎo)體的SiC之路
發(fā)表于：9/28/2018 9:19:09 PM
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氮化鎵VS碳化硅 誰(shuí)是最具潛力第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料？
發(fā)表于：9/28/2018 9:10:02 PM
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從產(chǎn)品到應(yīng)用，GaN（氮化鎵）將成為功率半導(dǎo)體市場(chǎng)發(fā)展新動(dòng)力
發(fā)表于：9/28/2018 9:05:56 PM
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功率半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)替代，勢(shì)在必行
發(fā)表于：9/28/2018 8:33:21 PM
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SiC功率半導(dǎo)體器件需求年增29%，X-FAB計(jì)劃倍增6英寸SiC產(chǎn)能
發(fā)表于：9/28/2018 8:29:44 PM
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CMRS2018：未來(lái)，碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體發(fā)展將呈爆發(fā)態(tài)勢(shì)！
發(fā)表于：9/28/2018 8:23:53 PM
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半導(dǎo)體碳化硅單晶材料的發(fā)展
發(fā)表于：9/28/2018 8:12:14 PM
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碳化硅功率半導(dǎo)體器件中的肖特基接觸
發(fā)表于：9/28/2018 8:09:19 PM
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碳化硅與氮化鎵的優(yōu)點(diǎn)與不足
發(fā)表于：9/28/2018 8:05:45 PM
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寬禁帶功率半導(dǎo)體受重視，產(chǎn)業(yè)發(fā)展該如何推動(dòng)？
發(fā)表于：9/28/2018 8:04:29 PM
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放棄7nm的格芯 將在哪些市場(chǎng)發(fā)力
發(fā)表于：9/28/2018 5:00:00 AM
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從起源到氮化鎵/碳化硅等材料，一文讀懂半導(dǎo)體材料進(jìn)化史
發(fā)表于：9/27/2018 8:54:20 PM
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我國(guó)碳化硅器件制造關(guān)鍵裝備研發(fā)取得重大進(jìn)展
發(fā)表于：9/27/2018 8:51:23 PM
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集邦咨詢：供過(guò)于求加上旺季不旺，DRAM第四季合約價(jià)跌幅恐?jǐn)U大至5%
發(fā)表于：9/27/2018 8:48:11 PM
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半導(dǎo)體代際迅速發(fā)展，羅姆：爭(zhēng)取2022年普及碳化硅
發(fā)表于：9/27/2018 8:43:02 PM
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SiC器件的優(yōu)點(diǎn)被熟知近60年為什么還未普及？
發(fā)表于：9/27/2018 8:39:00 PM
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5分鐘帶你了解什么是SiC！
發(fā)表于：9/27/2018 8:20:00 PM
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碳化硅（SiC）會(huì)是功率器件的終極選擇嗎?
發(fā)表于：9/27/2018 8:14:05 PM
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一文看懂SiC材料特性、功率器件、產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)及國(guó)內(nèi)外市場(chǎng)規(guī)模
發(fā)表于：9/27/2018 8:07:00 PM
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中國(guó)廠商正奮力擺脫對(duì)國(guó)外通用芯片的依賴
發(fā)表于：9/27/2018 5:00:00 AM
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BMS電池管理芯片
發(fā)表于：9/27/2018 5:00:00 AM
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