EDA與制造相關(guān)文章 消息稱英特爾挖角臺(tái)積電工程師 消息稱英特爾挖角臺(tái)積電工程師,芯片代工競爭加劇 發(fā)表于:7/31/2024 英特爾俄亥俄州兩座晶圓廠投資額提升至280億美元 英特爾宣布將俄亥俄州兩座晶圓廠投資額提升至280億美元! 發(fā)表于:7/31/2024 工信部發(fā)布2024新版工業(yè)機(jī)器人行業(yè)規(guī)范條件和管理實(shí)施辦法 工信部發(fā)布 2024 新版工業(yè)機(jī)器人行業(yè)規(guī)范條件和管理實(shí)施辦法,8 月起實(shí)施 發(fā)表于:7/31/2024 傳美光GDDR6X模塊質(zhì)量問題影響英偉達(dá)RTX 40出貨 傳美光GDDR6X模塊質(zhì)量問題影響英偉達(dá)RTX 40出貨 發(fā)表于:7/31/2024 Alphawave推出業(yè)界首款支持臺(tái)積電CoWoS封裝的3nm UCIe IP Alphawave推出業(yè)界首款支持臺(tái)積電CoWoS封裝的3nm UCIe IP 發(fā)表于:7/31/2024 消息指臺(tái)積電最快2028年A14P制程引入High NA EUV光刻技術(shù) 消息指臺(tái)積電最快 2028 年 A14P 制程引入 High NA EUV 光刻技術(shù) 發(fā)表于:7/30/2024 SK海力士推出全球最高性能GDDR7 SK 海力士推出全球最高性能 GDDR7,相比上代運(yùn)行速度提升 60% 發(fā)表于:7/30/2024 歐盟建晶圓廠補(bǔ)貼進(jìn)展緩慢 英特爾和臺(tái)積電已經(jīng)根據(jù)美國《芯片與科學(xué)法案》分別獲得85億美元和66億美元的巨額補(bǔ)貼,用于在美國國內(nèi)建晶圓廠。與此同時(shí),旨在支持歐洲半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的《歐洲芯片法案》卻動(dòng)作遲緩,至今英特爾和臺(tái)積電的歐洲建廠補(bǔ)貼均未獲批。 邀請(qǐng)英特爾和臺(tái)積電投資的德國因歐盟委員會(huì)的猶豫不決而面臨延誤。盡管德國已為英特爾撥款100億歐元,為臺(tái)積電撥款50億歐元,但仍有待歐盟最終批準(zhǔn)。德國官員警告稱,如果得不到及時(shí)批準(zhǔn),英特爾2024年底開工的計(jì)劃可能會(huì)受到威脅。 歐盟緩慢的審批程序與美國《芯片法案》形成鮮明對(duì)比,后者自2024年初以來迅速撥付補(bǔ)貼。這種歐洲官僚主義的拖延招致批評(píng),德國智庫Interface的專家認(rèn)為,由于建設(shè)延誤和挫折,歐盟在2030年前實(shí)現(xiàn)其半導(dǎo)體市場份額20%的目標(biāo)已經(jīng)越來越難以實(shí)現(xiàn)。 發(fā)表于:7/30/2024 國芯新一代汽車電子高性能MCU新產(chǎn)品流片測(cè)試成功 7月29日消息,據(jù)蘇州國芯科技官網(wǎng)介紹,近日,由國芯科技研發(fā)的新一代汽車電子高性能MCU新產(chǎn)品CCFC3012PT流片和測(cè)試成功。 據(jù)悉,國芯科技本次內(nèi)部測(cè)試成功的汽車電子高性能MCU新產(chǎn)品CCFC3012PT是基于公司自主PowerPC架構(gòu)C*Core CPU內(nèi)核研發(fā)的新一代多核MCU芯片。 適用于智能化汽車輔助駕駛、智能座艙以及高集成度域控制器等應(yīng)用,可以更好地滿足客戶更高算力、更高信息安全等級(jí)和更高功能安全等級(jí)的應(yīng)用需求。 發(fā)表于:7/30/2024 晶圓代工三巨頭從納米時(shí)代轉(zhuǎn)戰(zhàn)埃米時(shí)代 英特爾、三星和臺(tái)積電這三家領(lǐng)先的芯片代工廠已開始做出關(guān)鍵舉措,為未來幾代芯片技術(shù)吸引更多訂單,并為大幅提高性能和縮短定制設(shè)計(jì)的交付時(shí)間創(chuàng)造了條件。 與過去由單一行業(yè)路線圖決定如何進(jìn)入下一個(gè)工藝節(jié)點(diǎn)不同,這三家世界最大的晶圓代工廠正越來越多地開辟自己的道路。但他們都朝著同一個(gè)大方向前進(jìn),即采用 3D 晶體管和封裝、一系列使能和擴(kuò)展性技術(shù),以及規(guī)模更大、更多樣化的生態(tài)系統(tǒng)。但是,他們?cè)诜椒ㄕ?、架?gòu)和第三方支持方面出現(xiàn)了一些關(guān)鍵性的差異。 三者的路線圖都顯示,晶體管的擴(kuò)展將至少持續(xù)到 18/16/14 埃米(1 埃米等于 0.1nm)的范圍,并可能從納米片和 forksheet FET 開始,在未來的某個(gè)時(shí)間點(diǎn)出現(xiàn)互補(bǔ) FET(CFET)。主要驅(qū)動(dòng)因素是人工智能(AI)/ 移動(dòng)計(jì)算以及需要處理的數(shù)據(jù)量激增,在大多數(shù)情況下,這些設(shè)計(jì)將涉及處理元件陣列,通常具有高度冗余和同質(zhì)性,以實(shí)現(xiàn)更高的產(chǎn)量。 發(fā)表于:7/30/2024 大陸芯片設(shè)計(jì)業(yè)計(jì)劃從臺(tái)積電轉(zhuǎn)單三星 美大選逼近!大陸芯片設(shè)計(jì)業(yè)計(jì)劃從臺(tái)積電轉(zhuǎn)單三星 發(fā)表于:7/29/2024 全球首顆5nm智能駕駛芯片蔚來神璣NX9031流片成功 超過500億顆晶體管!蔚來宣布全球首顆5nm智能駕駛芯片神璣NX9031流片成功 發(fā)表于:7/29/2024 美國商務(wù)部宣布將向Amkor提供4億美元補(bǔ)貼 美國商務(wù)部宣布將向Amkor提供4億美元補(bǔ)貼 當(dāng)?shù)貢r(shí)間7月26日,美國拜登政府宣布,美國商務(wù)部和半導(dǎo)體封測(cè)大廠安靠(Amkor)簽署了一份不具約束力的初步條款備忘錄 (PMT)。美國商務(wù)部將根據(jù)《芯片與科學(xué)法案》提供高達(dá) 4 億美元的擬議直接資金。 發(fā)表于:7/29/2024 斯坦福大學(xué)高能激光芯片新突破介紹 高能激光芯片,新突破! 高功率鈦藍(lán)寶石激光器的尺寸已經(jīng)縮小,科學(xué)家計(jì)劃在新芯片的四英寸晶圓上塞入數(shù)百或數(shù)千個(gè)激光器。 發(fā)表于:7/29/2024 臺(tái)積電高管:摩爾定律存亡無所謂,關(guān)鍵是技術(shù)持續(xù)進(jìn)步 臺(tái)積電高管:摩爾定律存亡無所謂,關(guān)鍵是技術(shù)持續(xù)進(jìn)步 7 月 28 日消息,臺(tái)積電工藝技術(shù)主管張曉強(qiáng)(Kevin Zhang)博士在接受采訪時(shí)表示,他并不關(guān)心摩爾定律是否依然有效,只要技術(shù)能夠持續(xù)進(jìn)步即可。 發(fā)表于:7/29/2024 ?…89909192939495969798…?