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EDA與制造相關(guān)文章

英偉達(dá)加速認(rèn)證三星HBM內(nèi)存芯片

11月24日綜合報(bào)道，英偉達(dá)CEO黃仁勛近日在接受媒體采訪時(shí)透露，公司正在加速對(duì)三星電子的人工智能內(nèi)存芯片——HBM（High Bandwidth Memory，高帶寬內(nèi)存）進(jìn)行認(rèn)證。這一消息引發(fā)了業(yè)界廣泛關(guān)注。

發(fā)表于：11/25/2024

HBM隨著AI需求的飆升愈發(fā)成為首選內(nèi)存

隨著最先進(jìn)的 AI 加速器、圖形處理單元和高性能計(jì)算應(yīng)用程序需要快速處理的數(shù)據(jù)量不斷激增，高帶寬內(nèi)存（HBM）的銷量正在飆升。目前HBM庫存已售罄，這是由于對(duì)開發(fā)和改進(jìn) ChatGPT 等大型語言模型的大量努力和投資。HBM 是存儲(chǔ)創(chuàng)建這些模型所需的大量數(shù)據(jù)的首選內(nèi)存，通過添加更多層來提高密度而進(jìn)行的更改，以及 SRAM 縮放的限制，正在火上澆油。 Rambus 高級(jí)副總裁兼硅 IP 總經(jīng)理 Neeraj Paliwal 表示：“隨著大型語言模型（LLM）現(xiàn)在超過一萬億個(gè)參數(shù)并繼續(xù)增長(zhǎng)，克服內(nèi)存帶寬和容量方面的瓶頸對(duì)于滿足 AI 訓(xùn)練和推理的實(shí)時(shí)性能要求至關(guān)重要。

發(fā)表于：11/25/2024

消息稱美政府將減少對(duì)英特爾資金補(bǔ)貼

11 月 25 日消息，當(dāng)?shù)貢r(shí)間 24 日，《紐約時(shí)報(bào)》援引知情人士消息稱，美國(guó)拜登政府計(jì)劃減少英特爾公司初步獲得的 85 億美元《芯片和科學(xué)法案》撥款，將撥款金額從今年早些時(shí)候宣布的 85 億美元降至 80 億美元（IT之家備注：當(dāng)前約 579.51 億元人民幣）以下，這一條件的變化考慮到了英特爾公司獲得的一份價(jià)值 30 億美元的合同，該合同將為美國(guó)軍方生產(chǎn)芯片。

發(fā)表于：11/25/2024

臺(tái)積電宣布2nm已準(zhǔn)備就緒

11月25日消息，據(jù)報(bào)道，臺(tái)積電在其歐洲開放創(chuàng)新平臺(tái)（OIP）論壇上宣布，N2P IP已經(jīng)準(zhǔn)備就緒，所有客戶都可以基于臺(tái)積電的2nm節(jié)點(diǎn)設(shè)計(jì)2nm芯片。據(jù)悉，臺(tái)積電準(zhǔn)備在2025年末開始大規(guī)模量產(chǎn)N2工藝，同時(shí)A16工藝計(jì)劃在2026年末開始投產(chǎn)。

發(fā)表于：11/25/2024

臺(tái)積電宣布A16工藝將于2026年量產(chǎn)

臺(tái)積電近期在荷蘭阿姆斯特丹舉行的歐洲開放創(chuàng)新平臺(tái)（OIP）生態(tài)系統(tǒng)論壇上宣布，該公司有望在2026年底量產(chǎn)其A16（1.6nm級(jí)）工藝技術(shù)的首批芯片。新的生產(chǎn)節(jié)點(diǎn)采用臺(tái)積電的超級(jí)電源軌（SPR）背面供電網(wǎng)絡(luò)（BSPDN），可實(shí)現(xiàn)增強(qiáng)的供電，將所有電源通過芯片背面?zhèn)鬏敚⑻岣呔w管密度。但是，雖然BSPDN解決了一些問題，但它也帶來了其他挑戰(zhàn)，因此需要額外的設(shè)計(jì)工作。

發(fā)表于：11/25/2024

傳臺(tái)積電放緩2026年CoWoS產(chǎn)能擴(kuò)充

11月21日消息，據(jù)臺(tái)媒報(bào)道，由于擔(dān)憂特朗普重新執(zhí)掌白宮后所帶來的半導(dǎo)體政策的不確定性，因此近期業(yè)界傳出消息稱，晶圓代工龍頭臺(tái)積電已通知海內(nèi)外半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商，2026年設(shè)備需求及交機(jī)計(jì)劃暫緩，再等候后續(xù)安排。

發(fā)表于：11/22/2024

Yole報(bào)告指出2029年每車半導(dǎo)體含量將增至1000美元

汽車半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將增至970億美元，電氣化和ADAS推動(dòng)增長(zhǎng)。OEM進(jìn)軍半導(dǎo)體市場(chǎng)，中國(guó)廠商興趣濃厚。800V架構(gòu)流行，SiC器件適用。ADAS采用加速，SDV代表汽車設(shè)計(jì)范式轉(zhuǎn)變。

發(fā)表于：11/22/2024

消息稱三星電子將擴(kuò)大蘇州先進(jìn)封裝工廠產(chǎn)能

11 月 21 日消息，據(jù) Business Korea 周二報(bào)道，行業(yè)消息稱三星電子正在擴(kuò)大國(guó)內(nèi)外投資，以強(qiáng)化其先進(jìn)半導(dǎo)體封裝業(yè)務(wù)。封裝技術(shù)決定了半導(dǎo)體芯片如何適配目標(biāo)設(shè)備，而對(duì)于 HBM4 等下一代高帶寬存儲(chǔ)（HBM）產(chǎn)品，內(nèi)部封裝工藝的重要性正在上升。為此，三星正集中力量提升封裝能力，以保持技術(shù)領(lǐng)先并縮小與 SK Hynix 的差距。

發(fā)表于：11/22/2024

福特汽車宣布將在歐洲裁員4000人

福特汽車宣布將在歐洲裁員4000人

發(fā)表于：11/22/2024

傳NAND Flash大廠鎧俠將于12月中旬上市

11月21日消息，據(jù)日經(jīng)新聞、路透社等外媒報(bào)道，日本NAND Flash大廠鎧俠（Kioxia）預(yù)計(jì)將在今年12月中旬在日本IPO上市，市值預(yù)估為7,500億日元，將遠(yuǎn)低于原先設(shè)定的1.5萬億日元目標(biāo)。

發(fā)表于：11/22/2024

意法半導(dǎo)體宣布40nm MCU交由華虹代工

11月21日消息，歐洲芯片大廠意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）于當(dāng)?shù)貢r(shí)間周三在法國(guó)巴黎舉辦投資者日活動(dòng)，宣布了將與中國(guó)第二大晶圓代工廠合作，在中國(guó)生產(chǎn)40nm節(jié)點(diǎn)的微控制器（MCU），以支持其中長(zhǎng)期的營(yíng)收目標(biāo)的實(shí)現(xiàn)。

發(fā)表于：11/21/2024

TrendForce預(yù)計(jì)2025年DRAM價(jià)格將下跌

據(jù)TrendForce研報(bào)顯示，第四季為DRAM產(chǎn)業(yè)議定合約價(jià)的關(guān)鍵時(shí)期，制程較成熟的DDR4和LPDDR4X因供應(yīng)充足、需求減弱，目前價(jià)格已呈現(xiàn)跌勢(shì)。

發(fā)表于：11/21/2024

SK海力士宣布量產(chǎn)全球最高的321層1Tb TLC 4D NAND閃存

11 月 21 日消息，SK 海力士剛剛宣布開始量產(chǎn)全球最高的 321 層 1Tb（太比特，與 TB 太字節(jié)不同）TLC（Triple Level Cell）4D NAND 閃存。據(jù)介紹，此 321 層產(chǎn)品與上一代相比數(shù)據(jù)傳輸速度和讀取性能分別提高了 12% 和 13%，并且數(shù)據(jù)讀取能效也提高 10% 以上。

發(fā)表于：11/21/2024

中國(guó)工業(yè)機(jī)器人密度已超越德國(guó)和日本

11 月 20 日消息，國(guó)際機(jī)器人聯(lián)合會(huì)（IFR）周三發(fā)布的年度報(bào)告顯示，中國(guó)在工業(yè)機(jī)器人使用方面已超越德國(guó)。

發(fā)表于：11/21/2024

2025年臺(tái)積電將新建10座工廠以應(yīng)對(duì)AI半導(dǎo)體需求

11月20日消息，全球晶圓代工巨頭臺(tái)積電（TSMC）正在著力擴(kuò)大其先進(jìn)封裝產(chǎn)能，以應(yīng)對(duì)人工智能（AI）半導(dǎo)體的旺盛需求。據(jù)媒體報(bào)道，臺(tái)積電計(jì)劃明年在全球范圍內(nèi)新建10家工廠。新投資將重點(diǎn)放在2納米、CoWoS等先進(jìn)工藝技術(shù)上。臺(tái)積電明年的資本支出（CAPEX）預(yù)計(jì)將達(dá)到340億至380億美元。這不僅超過了市場(chǎng)預(yù)測(cè)的320億至 360 億美元，而且有可能刷新公司歷史上的最高資本支出記錄——2022年的362.9億美元。

發(fā)表于：11/21/2024