EDA與制造相關(guān)文章 臺積電SoIC產(chǎn)能將倍增 3月26日消息，據(jù)最新的業(yè)內(nèi)傳聞顯示，英偉達(dá)（NVIDIA）下一代Rubin GPU將采用臺積電的SoIC（System-on-Integrated Chip）封裝技術(shù)，這也也將是該公司首款采用Chiplet設(shè)計(jì)的GPU。市場期待，臺積電SoIC有望取代CoWoS成為市場新焦點(diǎn)，預(yù)期需求將大幅成長。 發(fā)表于：3/27/2025 薄晶圓工藝興起 從平面SoC向3D-IC和先進(jìn)封裝的轉(zhuǎn)變，需要更薄的晶圓，以提高性能、降低功耗，縮短信號傳輸所需的距離以及驅(qū)動信號所需的能量。 對超薄晶圓有需求的市場正在不斷擴(kuò)大。一個(gè)由12個(gè)DRAM芯片和一個(gè)基礎(chǔ)邏輯芯片組成的HBM模塊的總厚度，仍小于一片原生硅晶圓的厚度。在為人工智能應(yīng)用組裝扇出型晶圓級封裝以及先進(jìn)的2.5D和3D封裝方面，薄晶圓也起著關(guān)鍵作用，而這些人工智能應(yīng)用的增長速度比主流IC要快得多。再加上行業(yè)對輕薄手機(jī)、可穿戴設(shè)備和醫(yī)療電子產(chǎn)品的需求，似乎如果沒有可靠地加工薄硅晶圓的能力，現(xiàn)代微電子將難以實(shí)現(xiàn)。 發(fā)表于：3/27/2025 中微公司在等離子體刻蝕技術(shù)領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)重大突破 3 月 26 日消息，近日，中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司（以下簡稱“中微公司”）宣布通過不斷提升反應(yīng)臺之間氣體控制的精度，ICP 雙反應(yīng)臺刻蝕機(jī) Primo Twin-Star® 又取得新的突破，反應(yīng)臺之間的刻蝕精度已達(dá)到 0.2A（亞埃級）。 發(fā)表于：3/27/2025 北方華創(chuàng)進(jìn)軍離子注入設(shè)備市場 3月26日，在SEMICON China 2025大會上，北方華創(chuàng)正式宣布進(jìn)軍離子注入設(shè)備市場，并發(fā)布首款離子注入機(jī)Sirius MC 313。此舉標(biāo)志著北方華創(chuàng)正在半導(dǎo)體核心裝備的戰(zhàn)略布局上又邁出了重要一步，基本覆蓋了除光刻之外的所有半導(dǎo)體前道制造設(shè)備。 發(fā)表于：3/27/2025 存儲芯片大廠美光宣布也將漲價(jià) 3月26日消息，隨著存儲芯片市場的持續(xù)回暖，繼此前存儲芯片廠商Sandisk、長江存儲致態(tài)相繼被曝將對存儲產(chǎn)品漲價(jià)之后，近日另一家存儲芯片大廠美光也宣布將漲價(jià)。 發(fā)表于：3/27/2025 臺積電2nm先進(jìn)制程計(jì)劃2028年落地美國 3月27日消息，針對臺積電加速將先進(jìn)制程落地美國的做法，國務(wù)院臺辦發(fā)言人陳斌華公開表示，臺積電已成為砧板上任人宰割的肥肉。 對于這樣的做法，之前我國方面回應(yīng)稱，美方步步緊逼掏空臺積電，民眾擔(dān)憂臺積電變“美積電”，絕不是“杞人憂天”；最后就是從“棋子”成“棄子”，也絕對是注定的下場。 發(fā)表于：3/27/2025 消息稱高通對三星代工工藝失去信心 3 月 26 日消息，科技媒體 SamMobile 昨日（3 月 25 日）發(fā)布博文，報(bào)道稱高通對三星失去信心，即將推出的驍龍 8s Gen 4 芯片將由臺積電獨(dú)家代工，三星 4nm 工藝已出局。 發(fā)表于：3/26/2025 美光宣布其用于英偉達(dá)AI芯片的HBM3E及SOCAMM已量產(chǎn)出貨 3 月 25 日消息，美光今日宣布成為全球首家且唯一一家同時(shí)出貨 HBM3E 及 SOCAMM 產(chǎn)品的存儲廠商。 據(jù)介紹，其用于英偉達(dá) GB300 Grace Blackwell Ultra 超級芯片的 SOCAMM 內(nèi)存，以及針對 HGX B300 平臺打造的 HBM3E 12H 36GB、用于 HGX B200 平臺的 HBM3E 8H 24GB 已量產(chǎn)出貨。 發(fā)表于：3/26/2025 北方華創(chuàng)發(fā)布首款12英寸電鍍設(shè)備 據(jù)北方華創(chuàng)官方微信公眾號消息，近日，北方華創(chuàng)正式發(fā)布旗下首款12英寸電鍍設(shè)備（ECP）——Ausip T830。該設(shè)備專為硅通孔（TSV）銅填充設(shè)計(jì)，主要應(yīng)用于2.5D/3D先進(jìn)封裝領(lǐng)域。該產(chǎn)品標(biāo)志著北方華創(chuàng)正式進(jìn)軍電鍍設(shè)備市場，并在先進(jìn)封裝領(lǐng)域構(gòu)建了包括刻蝕、去膠、PVD、CVD、電鍍、PIQ 和清洗設(shè)備的完整互連解決方案。 發(fā)表于：3/26/2025 臺積電美國廠制造成本僅比臺灣廠高10% 3月26日消息，半導(dǎo)體研究機(jī)構(gòu)TechInsights近日發(fā)布報(bào)告稱，根據(jù)其旗下資深產(chǎn)業(yè)人士針對晶圓廠成本和價(jià)格模型所估算出的結(jié)果顯示，臺積電美國分公司TSMC Arizona的單片12英寸晶圓加工成本，僅比臺積電在中國臺灣的工廠僅高出不到10%。 發(fā)表于：3/26/2025 TrendForce預(yù)計(jì)2025年二季度DRAM價(jià)格跌幅收窄 3月25日消息，根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新發(fā)布的調(diào)查報(bào)告顯示，2025年第一季下游品牌廠大都提前出貨因應(yīng)國際形勢變化，此舉有助供應(yīng)鏈中DRAM的庫存去化。展望第二季，預(yù)估Conventional DRAM（一般型DRAM）價(jià)格跌幅將收斂至季減0%至5%，若納入HBM計(jì)算，受惠于HBM3e 12hi逐漸放量，預(yù)計(jì)均價(jià)為季增3%至8%。 發(fā)表于：3/26/2025 消息稱蘋果包下臺積電2nm首批產(chǎn)能 消息稱蘋果包下臺積電 2nm 首批產(chǎn)能，用來生產(chǎn) iPhone 18 系列的 A20芯片 3 月 25 日消息，據(jù)臺灣地區(qū)經(jīng)濟(jì)日報(bào)報(bào)道，消息稱臺積電 2 納米下半年量產(chǎn)的首批產(chǎn)能已被蘋果包下，將用來生產(chǎn) A20 處理器，蘋果今年仍將穩(wěn)居臺積電最大客戶。 發(fā)表于：3/26/2025 博世起訴國產(chǎn)線控制動企業(yè)拿森科技 汽車供應(yīng)鏈巨頭博世起訴國產(chǎn)線控制動企業(yè)拿森科技，涉及專利侵權(quán)糾紛 3 月 25 日消息，據(jù)芯流智庫今日消息，老牌 Tier1 巨頭博世已起訴線控制動企業(yè)拿森科技。后者一度被視為國內(nèi)沖擊博世、大陸、采埃孚體系的新銳廠商。 發(fā)表于：3/26/2025 三星被印度追征6億多美元稅款 3 月 25 日消息，據(jù)路透社報(bào)道，印度政府已要求三星及其在該國的高管支付 6.01 億美元（注：現(xiàn)匯率約合 43.63 億元人民幣）的補(bǔ)繳稅款和罰款，原因是其涉嫌規(guī)避關(guān)鍵電信設(shè)備進(jìn)口關(guān)稅，這一追征金額在近年來同類案件中位居前列。三星是印度消費(fèi)電子及智能手機(jī)市場的巨頭之一，去年在該國的凈利潤為 9.55 億美元，此次追征金額占據(jù)了其相當(dāng)大比例。三星有權(quán)在稅務(wù)法庭或法院對該決定提出挑戰(zhàn)。 發(fā)表于：3/26/2025 臺積電2納米工廠提前擴(kuò)產(chǎn)有隱情？ 一直以來，臺積電2納米技術(shù)進(jìn)展備受關(guān)注。據(jù)最新報(bào)道，該技術(shù)即將進(jìn)入全面生產(chǎn)階段。島內(nèi)媒體普遍分析認(rèn)為，這是臺積電在加大赴美投資的同時(shí)，為了消除外界對于其產(chǎn)能外流的疑慮而采取的舉措。 發(fā)表于：3/26/2025 ?…29303132333435363738…?
