工業(yè)自動(dòng)化最新文章 Altera正式獨(dú)立 1月10日消息，近日，英特爾旗下的FPGA部門(mén)Altera已經(jīng)正式獨(dú)立。Altera位于加利福尼亞州圣何塞的總部附近正式升起了一面以自己名字命名的旗幟，標(biāo)志著它從英特爾分拆出來(lái)，成為了一家獨(dú)立的公司。雖然這家新成立的公司仍歸英特爾所有，將專(zhuān)注于以更大的靈活性擴(kuò)展其 FPGA 產(chǎn)品，同時(shí)保持與英特爾的戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系。 發(fā)表于：1/10/2025 中微公司發(fā)明專(zhuān)利再獲中國(guó)專(zhuān)利獎(jiǎng)殊榮 中微公司發(fā)明專(zhuān)利再獲中國(guó)專(zhuān)利獎(jiǎng)殊榮 中國(guó)上海，2025年1月9日——中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“中微公司”，上交所股票代碼：688012）和南昌中微半導(dǎo)體設(shè)備有限公司共同擁有的發(fā)明專(zhuān)利“一種化學(xué)氣相沉積裝置及其清潔方法”（專(zhuān)利號(hào)：ZL201510218357.1）榮獲第二十五屆中國(guó)專(zhuān)利獎(jiǎng)銀獎(jiǎng)。 發(fā)表于：1/10/2025 激光雷達(dá)廠商紛紛競(jìng)逐機(jī)器人賽道 競(jìng)逐機(jī)器人賽道、卷向“千線” 激光雷達(dá)廠商大秀“肌肉”|CES 2025 發(fā)表于：1/10/2025 國(guó)家大基金二期入股中安半導(dǎo)體 1月9日消息，根據(jù)天眼查資料顯示，1月7日，南京中安半導(dǎo)體設(shè)備有限責(zé)任公司（簡(jiǎn)稱“中安半導(dǎo)體”）發(fā)生工商變更，新增國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金二期股份有限公司（簡(jiǎn)稱“大基金二期”）、北京屹唐創(chuàng)欣創(chuàng)業(yè)投資中心等為股東。其中，大基金二期持股3.5051%。 中安半導(dǎo)體產(chǎn)品主要應(yīng)用于大硅片生產(chǎn)、晶圓制造、設(shè)備研發(fā)、先進(jìn)封裝等領(lǐng)域，核心技術(shù)覆蓋精密光機(jī)電、深紫外、高速相機(jī)等，同時(shí)擁有自主研發(fā)的核心算法，設(shè)備性能?chē)?guó)際領(lǐng)先，目前已獲得多家頭部客戶的高度認(rèn)可與重復(fù)訂單，并通過(guò)技術(shù)迭代，滿足客戶定制化需求，未來(lái)業(yè)務(wù)有望持續(xù)放量。 發(fā)表于：1/10/2025 AI帶動(dòng)下存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)鏈有望探底回升 AI帶動(dòng)HBM、SRAM、DDR5需求上升 存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)鏈有望回升 發(fā)表于：1/10/2025 錯(cuò)過(guò)HBM熱潮的三星電子2024慘淡收官 1月9日消息，日前三星公布了2024年第四季度的營(yíng)業(yè)利潤(rùn)預(yù)測(cè)數(shù)字，結(jié)果遠(yuǎn)低于外界預(yù)期，主要原因是其在高端芯片供應(yīng)方面的落后，尤其是AI相關(guān)的HBM市場(chǎng)。 發(fā)表于：1/10/2025 傳感器測(cè)試專(zhuān)題 傳感器是一種檢測(cè)并響應(yīng)某些類(lèi)型的輸入從外部環(huán)境的設(shè)備，輸入可能是光、熱、運(yùn)動(dòng)、濕度、壓力等形式。傳感器將這些輸入轉(zhuǎn)換成成可以被測(cè)量?jī)x、計(jì)算機(jī)或其他設(shè)備識(shí)別和處理的電信號(hào)。傳感器廣泛應(yīng)用于各種領(lǐng)域。 發(fā)表于：1/10/2025 2024中國(guó)人工智能企業(yè)50強(qiáng)公布 1 月 10 日消息，1 月 9 日，胡潤(rùn)研究院發(fā)布《2024 胡潤(rùn)中國(guó)人工智能企業(yè) 50 強(qiáng)》，按照企業(yè)價(jià)值進(jìn)行排名。上市公司市值按照 2024 年 12 月 18 日的收盤(pán)價(jià)計(jì)算，非上市公司估值參考同行業(yè)上市公司或者根據(jù)最新一輪融資情況進(jìn)行估算。這是胡潤(rùn)研究院首次發(fā)布該榜單。 發(fā)表于：1/10/2025 Ansys宣布將PowerArtist EDA產(chǎn)品線出售給是德科技 Ansys宣布將PowerArtist EDA產(chǎn)品線出售給是德科技！ 發(fā)表于：1/10/2025 非常見(jiàn)問(wèn)題解答第225期：原來(lái)為硅MOSFET設(shè)計(jì)的DC-DC控制器能否用來(lái)驅(qū)動(dòng)GaNFET？ 在不斷追求減小電路板尺寸和提高效率的征途中，氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（GaNFET）功率器件已成為破解目前難題的理想選擇。GaN是一項(xiàng)新興技術(shù)，有望進(jìn)一步提高功率、開(kāi)關(guān)速度以及降低開(kāi)關(guān)損耗。這些優(yōu)勢(shì)讓功率密度更高的解決方案成為可能。當(dāng)前市場(chǎng)上充斥著大量不同的Si MOSFET驅(qū)動(dòng)器，而新的GaN驅(qū)動(dòng)器和內(nèi)置GaN驅(qū)動(dòng)器的控制器還需要幾年才能面世。除了簡(jiǎn)單的專(zhuān)用GaNFET驅(qū)動(dòng)器（如LT8418）外，市場(chǎng)上還存在針對(duì)GaN的復(fù)雜降壓和升壓控制器（如LTC7890、LTC7891）。目前的四開(kāi)關(guān)降壓-升壓解決方案仍有些復(fù)雜，但驅(qū)動(dòng)GaNFET并不像看起來(lái)那么困難。利用一些簡(jiǎn)單的背景知識(shí)，可以通過(guò)調(diào)整針對(duì)Si MOSFET的控制器來(lái)驅(qū)動(dòng)GaNFET。 發(fā)表于：1/9/2025 豐田合成開(kāi)發(fā)出8英寸GaN單晶晶圓 1月8日消息，日本豐田合成株式會(huì)社（Toyoda Gosei Co., Ltd.）宣布，成功開(kāi)發(fā)出了用于垂直晶體管的 200mm（8英寸）氮化鎵 （GaN）單晶晶圓。 發(fā)表于：1/9/2025 2024年11月全球半導(dǎo)體銷(xiāo)售額達(dá)578億美元 據(jù)美國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì) (SIA) 數(shù)據(jù)，2024 年11月全球半導(dǎo)體銷(xiāo)售額達(dá)到578億美元，與2023年11月的479億美元相比增長(zhǎng)20.7%，比2024年10月的569億美元增長(zhǎng)1.6%。環(huán)比銷(xiāo)售額由世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)組織（WSTS）編制，代表三個(gè)月的移動(dòng)平均值。SIA占美國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)收入的99%，占美國(guó)以外芯片公司的近三分之二。 發(fā)表于：1/9/2025 傳博通將成為Rapidus的2nm客戶 1月9日消息，據(jù)日經(jīng)新聞報(bào)道，日本支持的本土初創(chuàng)晶圓代工廠Rapidus將和美國(guó)博通（Broadcom）公司達(dá)成合作。Rapidus目標(biāo)在今年6月提供2nm產(chǎn)品的樣品給博通。 發(fā)表于：1/9/2025 2025年全球?qū)㈤_(kāi)建18座晶圓廠 1月8日消息，根據(jù)國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)（SEMI）最新公布的2024年第四季度《全球晶圓廠預(yù)測(cè)》報(bào)告預(yù)計(jì)，2025年全球?qū)⒂?8座新的晶圓廠開(kāi)工建設(shè)。同時(shí)，預(yù)計(jì)2025年全球每月的晶圓產(chǎn)能將達(dá)到3360萬(wàn)片約當(dāng)8英寸晶圓，同比將增長(zhǎng)6.6%。 發(fā)表于：1/9/2025 美光新加坡HBM內(nèi)存先進(jìn)封裝工廠動(dòng)工 美光新加坡HBM內(nèi)存先進(jìn)封裝工廠動(dòng)工，2026年投運(yùn) 發(fā)表于：1/9/2025 ?…76777879808182838485…?
