7 月 21 日消息，據(jù)韓媒《亞洲日報》今日報道，三星已準(zhǔn)備在本月底前向 AMD 和英偉達等客戶提供 HBM4 樣品。

據(jù)悉，三星在 HBM（高帶寬內(nèi)存）市場的表現(xiàn)一直不是很理想，特別是在 HBM3 方面推進遲緩。由于未能及時通過英偉達等公司的認證，嚴重影響了其營收表現(xiàn)。這種狀況雖然在 HBM3E 標(biāo)準(zhǔn)推出后有所改善，但三星仍未能打入英偉達的主流供應(yīng)鏈。

不過，這種情況極有可能將發(fā)生改變，三星計劃應(yīng)用 10 納米級第六代（1c）DRAM 工藝，開發(fā)更精密、良率更高的 HBM4。后續(xù)三星和 SK 海力士都計劃在下半年正式量產(chǎn) HBM4，并從明年起全面展開競爭，改變?nèi)缃?SK 海力士獨家向英偉達供應(yīng) HBM3E 的現(xiàn)狀。

隨著 HBM 供應(yīng)鏈廠商的增加，英偉達將獲得明年發(fā)布的新款 AI 加速器“Rubin”的定價主導(dǎo)權(quán)，預(yù)計 AMD 的 MI400 也將如此。

投資銀行高盛對此分析道：“由于競爭加劇，預(yù)計明年 HBM 的價格將下跌 10%。HBM 的定價權(quán)將從制造商轉(zhuǎn)移到以英偉達為代表的客戶手中”。這意味著 SK 海力士壟斷 80-90% 英偉達訂單的局面將不復(fù)存在。

就算三星未能通過英偉達的相關(guān)認證，HBM 的價格也將下降。因為英偉達可能用已通過認證的美光作為籌碼，要求 SK 海力士給出一個合理的價格。

HBM（高帶寬內(nèi)存）是三星電子、AMD 和 SK 海力士發(fā)起的一種基于 3D 堆棧技術(shù)的高性能 DRAM，適用于高存儲器帶寬需求的應(yīng)用場合，可與高性能 GPU、網(wǎng)絡(luò)交換及轉(zhuǎn)發(fā)設(shè)備、高性能數(shù)據(jù)中心的 AI ASIC 結(jié)合使用。